2N6387
器件描述:Plastic Medium-Power Silicon Transistors
文件大小:75.7KB,共8页
Sponsor by e络盟
器件资料摘要:
Plastic Medium-Power
Silicon Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed
switching applications.
• High DC Current Gain —
h
FE
= 2500 (Typ) @ I
C
= 4.0 Adc
• Collector–Emitter Sustaining Voltage – @ 100 mAdc
V
CEO(sus)
= 60 Vdc (Min) — 2N6387
= 80 Vdc (Min) — 2N6388
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
V
CE(sat)
= 2.0 Vdc (Max) @ I
C
= 5.0 Adc — 2N6387, 2N6388
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors
• TO–220AB Compact Package
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
2N6387
ÎÎÎÎ
2N6388
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
Peak
ÎÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
10
15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
10
15
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
250
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation
@ T
C
= 25 C
Derate above 25 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
65
0.52
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/ C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation
@ T
A
= 25 C
Derate above 25 C ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
2.0
0.016
ÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/ C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction,
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristics
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎ
R
θJC
ÎÎÎÎ
1.92
ÎÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient
ÎÎÎÎ
R
θJA
ÎÎÎÎ
62.5
ÎÎÎÎ
C/W
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
April, 2002 – Rev. 10
1 Publication Order Number:
2N6387/D
2N6387
2N6388
*ON Semiconductor Preferred Device
DARLINGTON
8 AND 10 AMPERE
NPN SILICON
POWER TRANSISTORS
60–80 VOLTS
65 WATTS
*
CASE 221A–09
TO–220AB
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
1
2
3
4