2N6338
器件资料摘要：
High-Power NPN Silicon
Transistors
. . . designed for use in industrial–military power amplifier and
switching circuit applications.
• High Collector–Emitter Sustaining Voltage –
V
CEO(sus)
= 100 Vdc (Min) – 2N6338
= 150 Vdc (Min) – 2N6341
• High DC Current Gain –
h
FE
= 30 – 120 @ I
C
= 10 Adc
= 12 (Min) @ I
C
= 25 Adc
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage –
V
CE(sat)
= 1.0 Vdc (Max) @ I
C
= 10 Adc
• Fast Switching Times @ I
C
= 10 Adc
t
r
= 0.3 ms (Max)
t
s
= 1.0 ms (Max)
t
f
= 0.25 ms (Max)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
2N6338
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
2N6341
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎÎÎÎ
120
ÎÎÎÎÎ
180
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎÎÎ
100
ÎÎÎÎÎ
150
ÎÎÎ
Vdc
Emitter–Base Voltage V
EB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
6.0 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
Continuous
Peak
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
25
50
ÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
10
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation
@ T
C
= 25 C
Derate above 25 C
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
200
1.14
ÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/°C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +200
ÎÎ
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case θ
JC
0.875 C/W
*Indicates JEDEC Registered Data.
200
75
50
25
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
Figure 1. Power Derating
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
P
D
, POWER DISSIP
A
TION (W
A
TTS)
175
150
125
100
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
May, 2001 – Rev. 10
1 Publication Order Number:
2N6338/D
2N6338
2N6341
*ON Semiconductor Preferred Device
25 AMPERE
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
100, 120, 140, 150 VOLTS
200 WATTS
*
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
Transistors
. . . designed for use in industrial–military power amplifier and
switching circuit applications.
• High Collector–Emitter Sustaining Voltage –
V
CEO(sus)
= 100 Vdc (Min) – 2N6338
= 150 Vdc (Min) – 2N6341
• High DC Current Gain –
h
FE
= 30 – 120 @ I
C
= 10 Adc
= 12 (Min) @ I
C
= 25 Adc
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage –
V
CE(sat)
= 1.0 Vdc (Max) @ I
C
= 10 Adc
• Fast Switching Times @ I
C
= 10 Adc
t
r
= 0.3 ms (Max)
t
s
= 1.0 ms (Max)
t
f
= 0.25 ms (Max)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
2N6338
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
2N6341
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎÎÎÎ
120
ÎÎÎÎÎ
180
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎÎÎ
100
ÎÎÎÎÎ
150
ÎÎÎ
Vdc
Emitter–Base Voltage V
EB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
6.0 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
Continuous
Peak
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
25
50
ÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
10
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation
@ T
C
= 25 C
Derate above 25 C
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
200
1.14
ÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/°C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +200
ÎÎ
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case θ
JC
0.875 C/W
*Indicates JEDEC Registered Data.
200
75
50
25
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
Figure 1. Power Derating
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
P
D
, POWER DISSIP
A
TION (W
A
TTS)
175
150
125
100
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
May, 2001 – Rev. 10
1 Publication Order Number:
2N6338/D
2N6338
2N6341
*ON Semiconductor Preferred Device
25 AMPERE
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
100, 120, 140, 150 VOLTS
200 WATTS
*
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)