1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C0072C0105C0103C0104C0045C0080C0111C0119C0101C0114 C0078C0080C0078 C0083C0105C0108C0105C0099C0111C0110
C0084C0114C0097C0110C0115C0105C0115C0116C0111C0114C0115
. . . designed for use in industrial–military power amplifer and switching circuit
applications.
• High Collector Emitter Sustaining —
V
CEO(sus)
= 100 Vdc (Min) — 2N6274
V
CEO(sus)
= 120 Vdc (Min) — 2N6275
V
CEO(sus)
= 150 Vdc (Min) — 2N6277
• High DC Current Gain —
h
FE
= 30–120 @ I
C
= 20 Adc
h
FE
= 10 (Min) @ I
C
= 50 Adc
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
V
CE(sat)
= 1.0 Vdc (Max) @ I
C
= 20 Adc
• Fast Switching Times @ I
C
20 Adc
t
r
= 0.35 µs (Max)
t
s
= 0.8 µs (Max)
t
f
= 0.25 µs (Max)
• Complement to 2N6377–79
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS(1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6274
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2N6275
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N6277
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎ
120
ÎÎÎ
140
ÎÎÎÎ
180
ÎÎÎ
Vdc
Collector–Emitter Voltage V
CEO
100 120 150 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
6.0
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
Peak
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
50
100
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
20
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ T
C
= 25C0095C
Derate above 25C0095C
ÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
250
1.43
ÎÎÎ
Watts
W/C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +200
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTIC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎ
0.7
ÎÎÎ
C0095C/W
(1) Indicates JEDEC Registered Data.
0 25 75 200
Figure 1. Power Derating
200
250
150
100
50
0
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
10050 125 150 175
P
D
, POWER DISSIP
A
TION (W
A
TTS)
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
C0077C0079C0084C0079C0082C0079C0076C0065
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by 2N6274/D
 Motorola, Inc. 1995
C0050C0078C0054C0050C0055C0052
C0050C0078C0054C0050C0055C0053
C0050C0078C0054C0050C0055C0055
*Motorola Preferred Device
50 AMPERE
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
100, 120, 140, 150 VOLTS
250 WATTS
C0042
CASE 197A–05
TO–204AE
(TO–3)
REV 7