High-Current Complementary
Silicon Power Transistors
. . . designed for use in high–power amplifier and switching circuit
applications.
• High Current Capability –
I
C
Continuous = 50 Amperes.
• DC Current Gain –
h
FE
= 15–60 @ I
C
= 25 Adc
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage –
V
CE(sat)
= 1.0 Vdc (Max) @ I
C
= 25 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
2N5684
2N5686
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current – Continuous
ÎÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎ
50
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎ
15
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ T
C
= 25 C
Derate above 25 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
300
1.715
ÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/ C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +200
ÎÎ
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS (1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎ
0.584
ÎÎÎ
C/W
(1) Indicates JEDEC Registered Data.
300
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Figure 1. Power Derating
TEMPERATURE (°C)
P
D
, POWER DISSIP
A
TION (W
A
TTS)
250
150
100
50
200
Safe Area Curves are indicated by Figure 5. All limits are applicable and must be observed.
ON Semiconductor
 Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
May, 2001 – Rev. 10
1 Publication Order Number:
2N5684/D
2N5684
2N5686
50 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
60–80 VOLTS
300 WATTS
CASE 197A–05
TO–204AE
PNP
NPN