Plastic NPN Silicon
High-Voltage Power Transistor
. . . designed for use in line–operated equipment such as audio
output amplifiers; low–current, high–voltage converters; and AC line
relays.
• Excellent DC Current Gain –
h
FE
= 30–250 @ I
C
= 100 mAdc
• Current–Gain – Bandwidth Product –
f
T
= 10 MHz (Min) @ I
C
= 50 mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
2N5655
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N5657
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎÎ
250
ÎÎÎÎ
350
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎÎÎ
275
ÎÎÎÎ
375
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
6.0
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current – Continuous
Peak
ÎÎ
ÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
0.5
1.0
ÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
0.25
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ T
C
= 25 C
Derate above 25 C
ÎÎ
ÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
20
0.16
ÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/ C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎ
6.25
ÎÎÎ
C/W
(1) Indicates JEDEC Registered Data.
40
0
25 50 75 100 150
Figure 1. Power Derating
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
30
20
10
P
D
, POWER DISSIP
A
TION (W
A
TTS)
125
Safe Area Limits are indicated by Figures 3 and 4. Both limits are applicable and must be observed.
Figure 2. Sustaining Voltage Test Circuit
50 mH
200
50 V
+
-
+
X
Y
TO SCOPEH
g
RELAY
300
1.0
6.0 V
ON Semiconductor

 Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
April, 2002 – Rev. 7
1 Publication Order Number:
2N5655/D
2N5655
2N5657
0.5 AMPERE
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
250–350 VOLTS
20 WATTS
CASE 77–09
TO–225AA TYPE
3
2
1
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE