High-Power NPN Silicon
Transistor
. . . for use in power amplifier and switching circuits applications.
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage –
V
CE(sat)
= 0.75 Vdc (Max) @ I
C
= 10 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
2N5302
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎÎÎÎ
60
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎÎÎÎÎ
60
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current – Continuous
ÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎ
30
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎ
7.5
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ T
C
= 25 C
Derate above 25 C
ÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎ
200
1.14
ÎÎÎ
Watts
W/ C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +200
ÎÎ
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎ
0.875
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Case to Ambient
ÎÎÎÎÎ
θ
CA
ÎÎÎÎÎÎ
34
ÎÎÎ
C/W
*Indicates JEDEC Registered Data.
T
C
200
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Figure 1. Power Temperature Derating Curve
TEMPERATURE (°C)
P
D
, POWER DISSIP
A
TION (W
A
TTS)
150
100
50
T
C
8.0
0
6.0
4.0
2.0
T
A
T
A
ON Semiconductor
 Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
May, 2001 – Rev. 0
1 Publication Order Number:
2N5302/D
2N5302
30 AMPERE
POWER TRANSISTOR
NPN SILICON
60 VOLTS
200 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)