Silicon PNP Power Transistors
. . . for use in power amplifier and switching circuits, — excellent
safe area limits. Complement to NPN 2N5191, 2N5192
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N5194
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N5195
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎ
4.0
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ T
C
= 25 C
Derate above 25 C
ÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎ
40
320
ÎÎÎ
Watts
mW/ C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎ
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎ
3.12
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25 C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(I
C
= 0.1 Adc, I
B
= 0) 2N5194
2N5195
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
V
CEO(sus)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60
80
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 60 Vdc, I
B
= 0) 2N5194
(V
CE
= 80 Vdc, I
B
= 0) 2N5195
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
I
CEO
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 60 Vdc, V
BE(off)
= 1.5 Vdc) 2N5194
(V
CE
= 80 Vdc, V
BE(off)
= 1.5 Vdc) 2N5195
(V
CE
= 60 Vdc, V
BE(off)
= 1.5 Vdc, T
C
= 125 C) 2N5194
(V
CE
= 80 Vdc, V
BE(off)
= 1.5 Vdc, T
C
= 125 C) 2N5195
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
I
CEX
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
—
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
0.1
0.1
2.0
2.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 60 Vdc, I
E
= 0) 2N5194
(V
CB
= 80 Vdc, I
E
= 0) 2N5195
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
I
CBO
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
0.1
0.1
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(V
BE
= 5.0 Vdc, I
C
= 0) ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
I
EBO
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
mAdc
*Indicates JEDEC Registered Data.
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor

 Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
April, 2002 – Rev. 10
1 Publication Order Number:
2N5194/D
2N5194
2N5195
*ON Semiconductor Preferred Device
4 AMPERE
POWER TRANSISTORS
SILICON PNP
60–80 VOLTS
*
CASE 77–09
TO–225AA TYPE
3
2
1
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE