Silicon NPN Power Transistors
. . . for use in power amplifier and switching circuits, — excellent
safe area limits. Complement to PNP 2N5194, 2N5195.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N5191
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N5192
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎ
4.0
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ T
C
= 25 C
Derate above 25 C
ÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎ
40
320
ÎÎÎ
Watts
mW/ C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎ
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎ
3.12
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25 C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(I
C
= 0.1 Adc, I
B
= 0) 2N5191
2N5192
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
V
CEO(sus)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60
80
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 60 Vdc, I
B
= 0) 2N5191
(V
CE
= 80 Vdc, I
B
= 0) 2N5192 ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
I
CEO
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
—
ÎÎ
ÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 60 Vdc, V
EB(off)
= 1.5 Vdc) 2N5191
(V
CE
= 80 Vdc, V
EB(off)
= 1.5 Vdc) 2N5192
(V
CE
= 60 Vdc, V
EB(off)
= 1.5 Vdc, T
C
= 125 C) 2N5191
(V
CE
= 80 Vdc, V
EB(off)
= 1.5 Vdc, T
C
= 125 C) 2N5192
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
I
CEX
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
—
—
—
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
0.1
0.1
2.0
2.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 60 Vdc, I
E
= 0) 2N5191
(V
CB
= 80 Vdc, I
E
= 0) 2N5192
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
I
CBO
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
—
ÎÎ
ÎÎÎ
0.1
0.1
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(V
BE
= 5.0 Vdc, I
C
= 0) ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
I
EBO
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
ÎÎ
ÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
mAdc
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
*Indicates JEDEC Registered Data.
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor

 Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
April, 2002 – Rev. 10
1 Publication Order Number:
2N5191/D
2N5191
2N5192
*ON Semiconductor Preferred Device
4 AMPERE
POWER TRANSISTORS
SILICON NPN
60–80 VOLTS
40 WATTS
*
CASE 77–09
TO–225AA TYPE
3
2
1
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE