1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C0072C0105C0103C0104 C0080C0111C0119C0101C0114 C0078C0080C0078 C0083C0105C0108C0105C0099C0111C0110 C0080C0111C0119C0101C0114
C0084C0114C0097C0110C0115C0105C0115C0116C0111C0114C0115
. . . designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching
applications.
• Forward Biased Second Breakdown Current Capability
I
S/b
= 3.75 Adc @ V
CE
= 40 Vdc — 2N3771
I
S/b
= 2.5 Adc @ V
CE
= 60 Vdc — 2N3772
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N3771
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N3772
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎ
40
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CEX
ÎÎÎÎ
50
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎÎ
50
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎÎ
7.0
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
Peak
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
30
30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
20
30
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current — Continuous
Peak ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
7.5
15 ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
5.0
15 ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ T
C
= 25C0095C
Derate above 25C0095C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
150
0.855
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +200
ÎÎÎ
C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICSÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristics
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
2N3771, 2N3772
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎÎ
1.17
ÎÎÎ
C0095C/W
* Indicates JEDEC Registered Data.
200
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
Figure 1. Power Derating
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
150
100
50
25
P
D
, POWER DISSIP
A
TION (W
A
TTS)
175
125
75
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
C0077C0079C0084C0079C0082C0079C0076C0065
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by 2N3771/D
 Motorola, Inc. 1995
C0050C0078C0051C0055C0055C0049
C0050C0078C0051C0055C0055C0050
*Motorola Preferred Device
20 and 30 AMPERE
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
40 and 60 VOLTS
150 WATTS
C0042
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
REV 7