1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C0067C0111C0109C0112C0108C0101C0109C0101C0110C0116C0097C0114C0121 C0083C0105C0108C0105C0099C0111C0110
C0072C0105C0103C0104C0045C0080C0111C0119C0101C0114 C0084C0114C0097C0110C0115C0105C0115C0116C0111C0114C0115
. . . PowerBase complementary transistors designed for high power audio, stepping
motor and other linear applications. These devices can also be used in power
switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc–to–dc converters, inverters, or
for inductive loads requiring higher safe operating area than the 2N3055 and MJ2955.
• Current–Gain — Bandwidth–Product @ I
C
= 1.0 Adc
f
T
= 0.8 MHz (Min) – NPN
= 2.2 MHz (Min) – PNP
• Safe Operating Area — Rated to 60 V and 120 V, Respectively
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N3055A
MJ2955A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MJ15015
MJ15016
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
120
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CBO
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎÎ
200
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage Base
Reversed Biased
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
V
CEV
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
200
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
EBO
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
7.0
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
ÎÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎ
15
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎ
7.0
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ T
C
= 25C0095C
Derate above 25C0095C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
115
0.65
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
180
1.03
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +200
ÎÎÎ
C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
R
θJC
ÎÎÎÎ
1.52
ÎÎÎÎ
0.98
ÎÎÎ
C0095C/W
* Indicates JEDEC Registered Data. (2N3055A)
200
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
Figure 1. Power Derating
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
MJ15015
MJ15016
P
,
A
VERAGE POWER DISSIP
A
TION (W)
D(A
V)
150
100
50
2N3055A
MJ2955A
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
C0077C0079C0084C0079C0082C0079C0076C0065
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by 2N3055A/D
 Motorola, Inc. 1995
C0050C0078C0051C0048C0053C0053C0065
C0077C0074C0049C0053C0048C0049C0053
C0077C0074C0050C0057C0053C0053C0065
C0077C0074C0049C0053C0048C0049C0054
C0080C0078C0080
C0078C0080C0078
*Motorola Preferred Device
15 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
60, 120 VOLTS
115, 180 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
C0042
C0042
REV 1