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ASIUTV200
EEWorld咨询电话:82357002,82350740-8068 邮件咨询:datasheet@eeworld.com.cn
器件描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
器件厂商:ASI [Advanced Semiconductor]
厂商主页:http://www.advancedsemiconductor.com/
文件大小:656.07KB
文件页数:1
PDF阅读:ASIUTV200.pdf  (点击阅读器件资料)

摘要:
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. REV. A
7525 ETHEL AVENUE ? NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 ? (818) 982-1200 ? FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS TC = 25
O
C
SYMBOL NONETEST CONDITIONS MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS
BV
CEO
I
C
= 40 mA 28 V
BV
CES
I
C
= 20 mA 50 V
BV
EBO
I
E
= 10 mA 4.0 V
I
CBO
V
CB
= 30 V 50 mA
h
FE
V
CE
= 5.0 V I
C
= 1.0 A 10 150 ---
C
ob
V
CB
= 26 V f = 1.0 MHz 36 pF
P
G
VSRW
V
CE
= 26 V P
OUT
= 20 W f = 470 - 860
MHz
8.5 9.5
3:1
dB
---
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
UTV200
DESCRIPTION:
The ASI UTV200 is Designed for
Class A. UHF Television Applications
up to 860 MHz.
FEATURES INCLUDE:
? Internal Input Matching
? Gold Metalization
? Emitter Ballasting
MAXIMUM RATINGS
I
C
4.5 A
V
CE
28 V
P
DISS
80 W @ T
C
= 25
O
C
T
J
-65
O
C to +200
O
C
T
STG
-65
O
C to +200
O
C
θ
JC
1.2
O
C/W
PACKAGE STYLE .420 4L FLG.
1 = COLLECTOR 2 = EMITTER
3 = BASE

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