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ASITP9383
EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn 器件描述：NPN RF POWER TRANSISTOR 器件厂商：ASI [Advanced Semiconductor] 厂商主页：http://www.advancedsemiconductor.com/ 文件大小：22.28KB 文件页数：1 PDF阅读：ASITP9383.pdf (点击阅读器件资料) 摘要： A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. REV. A 7525 ETHEL AVENUE ? NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 ? (818) 982-1200 ? FAX (818) 765-3004 1/1 Specifications are subject to change without notice. CHARACTERISTICS TC = 25 OC SYMBOL TEST CONDITIONS MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS BVCBO IC = 100 mA 60 V BVCER IC = 5.0 mA RBE = 10 ? 55 V BVCEO IC = 100 mA 25 V BVEBO IE = 20 mA 4.0 V hFE VCE = 5.0 V IC = 1.0 A 20 150 --- COB VCB = 28 V f = 1.0 MHz 150 pF PG hC VCE = 28V POUT = 150 W f = 108 MHz 9.2 70 10.0 dB % NPN RF POWER TRANSISTOR TP9383 DESCRIPTION: The ASI TP9383 is a Common Emitter Device Designed for FM Broadcast Transmitter Applications in the 88 to 108 MHz Band. FEATURES INCLUDE: ? High Efficiency ? Gold Metallization ? Emitter Ballasting MAXIMUM RATINGS IC 16 A VCBO 60 V PDISS 230 W @ TC = 25 OC TJ -55 OC to+200 OC TSTG -55 OC to+200 OC qJC 0.75 OC/W PACKAGE STYLE 500 4L FLG 1 = COLLECTOR 2 = BASE 3 & 4 = EMITTER 相关器件：

ASITP9383

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器件描述：NPN RF POWER TRANSISTOR
器件厂商：ASI [Advanced Semiconductor]
厂商主页：http://www.advancedsemiconductor.com/
文件大小：22.28KB
文件页数：1
PDF阅读：ASITP9383.pdf (点击阅读器件资料)

摘要：
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. REV. A
7525 ETHEL AVENUE ? NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 ? (818) 982-1200 ? FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS TC = 25 OC
SYMBOL TEST CONDITIONS MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS
BVCBO IC = 100 mA 60 V
BVCER IC = 5.0 mA RBE = 10 ? 55 V
BVCEO IC = 100 mA 25 V
BVEBO IE = 20 mA 4.0 V
hFE VCE = 5.0 V IC = 1.0 A 20 150 ---
COB VCB = 28 V f = 1.0 MHz 150 pF
PG
hC VCE = 28V POUT = 150 W f = 108 MHz
9.2
70
10.0 dB
%
NPN RF POWER TRANSISTOR
TP9383
DESCRIPTION:
The ASI TP9383 is a Common
Emitter Device Designed for FM
Broadcast Transmitter Applications in
the 88 to 108 MHz Band.
FEATURES INCLUDE:
? High Efficiency
? Gold Metallization
? Emitter Ballasting
MAXIMUM RATINGS
IC 16 A
VCBO 60 V
PDISS 230 W @ TC = 25 OC
TJ -55 OC to+200 OC
TSTG -55 OC to+200 OC
qJC 0.75 OC/W
PACKAGE STYLE 500 4L FLG
1 = COLLECTOR 2 = BASE
3 & 4 = EMITTER

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应用设计: 基于ARM和蓝牙的无线信号采集系统的设计与实现; 基于单片机和GPRS的矿区铁路道口监测系统; 基于MSP430单片机的开关稳压电源设计; 基于嵌入式系统的虚拟仪器设计; 基于80C51微处理器的OLED模块设计; 嵌入式阵列处理器的发展现状及前景; 广泛应用于未来一代汽车的高亮LED照明方案; 利用微控制器进行网络通信的网卡配置; 基于MCU的家庭防盗报警系统的设计与应用; 基于FPGA的UART接口开发

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