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ASITAN250A
EEWorld咨询电话:82357002,82350740-8068 邮件咨询:datasheet@eeworld.com.cn
器件描述:RF POWER TRANSISTOR
器件厂商:ASI [Advanced Semiconductor]
厂商主页:http://www.advancedsemiconductor.com/
文件大小:23.1KB
文件页数:1
PDF阅读:ASITAN250A.pdf  (点击阅读器件资料)

摘要:
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. REV. A
7525 ETHEL AVENUE ? NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 ? (818) 982-1200 ? FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS TC = 25 OC
SYMBOL TEST CONDITIONS MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS
BVCBO IC = 20 mA 60 V
BVCES IC = 25 mA RBE = 10 ? 60 V
BVEBO IE = 20 mA 4.0 V
ICBO VCB = 50 V 12 mA
hFE VCE = 5 V IC = 1.0 A 20 120 ---
POUT
PG
h C
VCC = 50 V PIN = 13 W f = 960 to 1215 MHz
Pulse Width = 20 ?S Duty Cycle = 5 %
250
6.0 7.0
40
W
dB
%
PACKAGE STYLE
RF POWER TRANSISTOR
TAN250A
DESCRIPTION:
The ASI TAN250A is a Common
Base Transistor Designed for DME,
TACAN and IFF Pulse Power Amplifier
Applications.
FEATURES INCLUDE:
? Gold Metallization
? Hermetic Package
? Input/Output Matching
MAXIMUM RATINGS
IC 30 A
VCB 60 V
PDISS 575 W @ TC = 25 OC
TJ -65 OC to +200 OC
TSTG -65 OC to +200 OC
qJC 0.30 OC/W

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