1N5345B
器件描述:Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)
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器件资料摘要:
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
) Tested with pulses Gemessen mit Impulsen
230 01.10.2002
1N 5345B
1N 5388B (5 W)
Silicon-Power-Z-Diodes Silizium-Leistungs-Z-Dioden
(non-planar technology) (flächendiffundierte Dioden)
Maximum power dissipation 5 W
Maximale Verlustleistung
Nominal Z-voltage Nominale Z-Spannung 8.7
200 V
Plastic case ~ DO-201
Kunststoffgehäuse
Weight approx. Gewicht ca. 1 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging taped in ammo pack see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack siehe Seite 16
Standard Zener voltage tolerance is ± 5%. Other voltage tolerances and higher Zener voltages on
request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung ± 5%. Andere Toleranzen oder
höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte
Power dissipation T
A
= 25g47CP
tot
5.0 W
1
)
Verlustleistung
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms T
A
= 25g47CP
ZSM
80 W
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
Operating junction temperature Sperrschichttemperatur T
j
50
+150g47C
Storage temperature Lagerungstemperatur T
S
50
+175g47C
Thermal resistance junction to ambient air R
thA
< 25 K/W
1
)
Wärmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft
Thermal resistance junction to lead R
thL
< 8 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht Anschlußdraht
Zener voltages see table on next page
Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite