1
) Tested with 100 g58A pulses – Gemessen mit 100 g58A-Impulsen
2
) Valid, if leads are kept at T
A
= 25g47C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 5 mm Abstand von Gehäuse auf T
A
= 25g47C gehalten werden
34 01.10.2002
1N 4148, 1N 4150, 1N 4151, 1N 4448
Silicon Planar Diodes Silizium-Planar-Dioden
Nominal current 150...300 mA
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage 50…100 V
Periodische Spitzensperrspannung
Glass case DO-35
Glasgehäuse SOD-27
Weight approx. 0.13 g
Gewicht ca.
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging taped in ammo pack see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack siehe Seite 16
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Reverse voltage
Sperrspannung
V
RM
[V]
Reverse Breakdown Voltage
Abbruchspannung
V
RRM
[V]
1
)
1N 4148 75 100
1N 4150 50 50
1N 4151 50 75
1N 4448 75 100
1N 4148
1N 4448
1N 4150 1N 4151
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
I
FAV
150 mA
2
) 300 mA
2
) 200 mA
2
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
I
FRM
500 mA
2
) 600 mA
2
) 500 mA
2
)
Non-repetitive peak fwd. current
Stoßstrom Grenzwert
t
p
= 1 g58s
T
j
= 25g47C
I
FSM
2000 mA 4000 mA 2000 mA
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
T
A
= 25g47CP
tot
500 mW
2
)
Operating junction temp. – Sperrschichttemp. T
j
- 50…+ 200g47C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
- 50…+ 200g47C