1N1200A
器件描述:Silicon-Power Rectifiers
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器件资料摘要:
1
) Valid, if the temp. of the stud is kept to 100g47C Gültig, wenn die Temp. am Gewinde auf 100g47C gehalten wird
126.03.2002
1N 1199A ... 1N 1206A, 1N 3671, 1N 3673
PBY 271 ... PBY 277
Silicon-Power Rectifiers Silizium-Leistungs-Gleichrichter
Nominal current Nennstrom 12 A
Repetitive peak reverse voltage 50...1000 V
Periodische Spitzensperrspannung
Metal case Metallgehäuse DO-4
Weight approx. Gewicht ca. 5.5 g
Recommended mounting torque 18 ± 10% lb.in.
Empfohlenes Anzugsdrehmoment 2 ± 10% Nm
Standard: Cathode to stud / am Gewinde
Dimensions / Maße in mm Index R: Anode to stud / am Gewinde (e.g. 1N 1199 A/R)
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
1N 1199 A = PBY 271 50 60
1N 1200 A = PBY 272 100 120
1N 1202 A = PBY 273 200 240
1N 1204 A = PBY 274 400 480
1N 1206 A = PBY 275 600 720
1N 3671 = PBY 276 800 1000
1N 3673 = PBY 277 1000 1200
Max. average forward rectified current, R-load T
C
= 100g47CI
FAV
12 A
1
)
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current f > 15 Hz I
FRM
40 A
1
)
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave T
A
= 25g47CI
FSM
220 A
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave T
A
= 25g47CI
FSM
240 A
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing Grenzlastintegral, t < 10 ms T
A
= 25g47Ci
2
t 240 A
2
s