1N1183
器件描述:Silicon-Power Rectifiers
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器件资料摘要:
1
) Valid, if the temp. of the stud is kept to 100g47C Gültig, wenn die Temp. am Gewinde auf 100g47C gehalten wird
106.08.2002
1N 1183 ... 1N 1190, 1N 3766, 1N 3768
PBY 301 ... PBY 307
Silicon-Power Rectifiers Silizium-Leistungs-Gleichrichter
Nominal current Nennstrom 35 A
Repetitive peak reverse voltage 50
1000 V
Periodische Spitzensperrspannung
Metal case Metallgehäuse DO-5
Weight approx. Gewicht ca. 6 g
Standard polarity: Cathode to stud / am Gewinde
Index R: Anode to stud / am Gewinde (e.g. 1N 1183 A/R)
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
1N 1183 = PBY 301 50 60
1N 1184 = PBY 302 100 120
1N 1186 = PBY 303 200 240
1N 1188 = PBY 304 400 480
1N 1190 = PBY 305 600 720
1N 3766 = PBY 306 800 1000
1N 3768 = PBY 307 1000 1200
Max. average forward rectified current, R-load T
C
= 100g47CI
FAV
35 A
1
)
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current f > 15 Hz I
FRM
80 A
1
)
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave T
A
= 25g47CI
FSM
450 A
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave T
A
= 25g47CI
FSM
500 A
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing Grenzlastintegral, t < 10 ms T
A
= 25g47Ci
2
t 1000 A
2
s
Operating junction temperature Sperrschichttemperatur T
j
65
+175g47C
Storage temperature Lagerungstemperatur T
S
65
+175g47C
Type
14
11
37
13
M6
SW17
Ø3.5