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1N1183

器件描述:Silicon-Power Rectifiers
器件厂商:DIOTEC [Diotec Semiconductor]
厂商主页:http://www.diotec.com/
文件大小:160.63KB,共2页
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器件资料摘要:
1
) Valid, if the temp. of the stud is kept to 100g47C – Gültig, wenn die Temp. am Gewinde auf 100g47C gehalten wird
106.08.2002
1N 1183 ... 1N 1190, 1N 3766, 1N 3768
PBY 301 ... PBY 307
Silicon-Power Rectifiers Silizium-Leistungs-Gleichrichter
Nominal current – Nennstrom 35 A
Repetitive peak reverse voltage 50…1000 V
Periodische Spitzensperrspannung
Metal case – Metallgehäuse DO-5
Weight approx. – Gewicht ca. 6 g
Standard polarity: Cathode to stud / am Gewinde
Index R: Anode to stud / am Gewinde (e.g. 1N 1183 A/R)
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
1N 1183 = PBY 301 50 60
1N 1184 = PBY 302 100 120
1N 1186 = PBY 303 200 240
1N 1188 = PBY 304 400 480
1N 1190 = PBY 305 600 720
1N 3766 = PBY 306 800 1000
1N 3768 = PBY 307 1000 1200
Max. average forward rectified current, R-load T
C
= 100g47CI
FAV
35 A
1
)
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current f > 15 Hz I
FRM
80 A
1
)
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave T
A
= 25g47CI
FSM
450 A
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave T
A
= 25g47CI
FSM
500 A
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms T
A
= 25g47Ci
2
t 1000 A
2
s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T
j
– 65…+175g47C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
– 65…+175g47C
Type
14

11

37
13
M6
SW17
Ø3.5