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1224-10
EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn 器件描述：RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS 器件厂商：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics] 厂商主页：http://www.st.com/ 文件大小：47.6KB 文件页数：3 PDF阅读：1224-10.pdf (点击阅读器件资料) 摘要： HF SSB APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS .380 4LFL (M113) epoxy sealed .30 MHz .28 VOLTS .IMD ?28 dB .COMMON EMITTER .GOLD METALLIZATION .P OUT = 30 W MIN. WITH 18 dB GAIN DESCRIPTION The SD1224-10 is a 28 V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB com- munications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliability. PIN CONNECTION BRANDING 1224-10 ORDER CODE SD1224-10 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25 ° C) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 65 V VCEO Collector-Emitter Voltage 36 V VEBO Emitter-Base Voltage 4.0 V IC Device Current 4.5 A PDISS Power Dissipation 80 W TJ Junction Temperature +200 ° C TSTG Storage Temperature ? 65 to +150 ° C RTH(j-c) Junction-Case Thermal Resistance 2.2 °C/W SD1224-10 1. Collector 3. Base 2. Emitter 4. Emitter THERMAL DATA October 1992 1/3 相关器件：SD1224-10

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器件描述：RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS
器件厂商：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
厂商主页：http://www.st.com/
文件大小：47.6KB
文件页数：3
PDF阅读：1224-10.pdf (点击阅读器件资料)

摘要：
HF SSB APPLICATIONS
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
.380 4LFL (M113)
epoxy sealed
.30 MHz
.28 VOLTS
.IMD ?28 dB
.COMMON EMITTER
.GOLD METALLIZATION
.P
OUT
= 30 W MIN. WITH 18 dB GAIN
DESCRIPTION
The SD1224-10 is a 28 V epitaxial silicon NPN
planar transistor designed primarily for SSB com-
munications. This device utilizes emitter ballasting
for improved ruggedness and reliability.
PIN CONNECTION
BRANDING
1224-10
ORDER CODE
SD1224-10
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25
°
C)
Symbol Parameter Value Unit
VCBO Collector-Base Voltage 65 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 36 V
VEBO Emitter-Base Voltage 4.0 V
IC Device Current 4.5 A
PDISS Power Dissipation 80 W
TJ Junction Temperature +200
°
C
TSTG Storage Temperature ? 65 to +150
°
C
RTH(j-c) Junction-Case Thermal Resistance 2.2 °C/W
SD1224-10
1. Collector 3. Base
2. Emitter 4. Emitter
THERMAL DATA
October 1992
1/3

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应用设计: 基于ARM和蓝牙的无线信号采集系统的设计与实现; 基于单片机和GPRS的矿区铁路道口监测系统; 基于MSP430单片机的开关稳压电源设计; 基于嵌入式系统的虚拟仪器设计; 基于80C51微处理器的OLED模块设计; 嵌入式阵列处理器的发展现状及前景; 广泛应用于未来一代汽车的高亮LED照明方案; 利用微控制器进行网络通信的网卡配置; 基于MCU的家庭防盗报警系统的设计与应用; 基于FPGA的UART接口开发

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