SWITCHMODE Series
NPN Silicon Power Transistor
. . . designed for high speed, high current, high power applications.
• High DC current gain:
h
FE
min = 20 at I
C
= 25 A
= 10 at I
C
= 50 A
• Low V
CE(sat)
:
V
CE(sat)
max. = 0.6 V at I
C
= 25 A
= 0.9 V at I
C
= 50 A
• Very fast switching times:
T
F
= 0.25 µs at I
C
= 50 A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BUV20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
BUV60
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
Collector–Emititer Voltage V
CEO(sus)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
125 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CBO
ÎÎÎÎ
160
ÎÎÎÎÎ
260
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
EBO
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
7
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage (V
BE
=
–1.5 V) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
V
CEX
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
160
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
260
ÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter voltage (R
BE
=
100 Ω)
ÎÎÎÎÎ
V
CER
ÎÎÎÎ
150
ÎÎÎÎÎ
260
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Current — Continuous
— Peak (PW
10 ms)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
I
C
I
CM
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
50
60
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
Adc
Apk
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Current continuous
ÎÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
10
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ T
C
=
25 C
ÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
250
ÎÎÎ
Watts
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to 200
ÎÎ
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BUV20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
BUV60
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to
Case
ÎÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
0.7
ÎÎÎ
C/W
Figure 1. Power Derating
1.0
0
T
C
, TEMPERATURE (°C)
40 80 160 200
0.4
0.8
0.6
0.2
120
DERA
TING F
ACT
OR
ON Semiconductor
 Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
May, 2001 – Rev. 10
1 Publication Order Number:
BUV20/D
BUV20
BUV60
50 AMPERES
NPN SILICON
POWER
METAL TRANSISTOR
125 VOLTS
250 WATTS
CASE 197A–05
TO–204AE
(TO–3)