汕头华汕电子器件有限公司

Silicon Controlled Rectifier
HCP12C60
对应国外型号
BT151-600
█ 主要用途
单向可控硅, 用于过压保护、马达控制、限流电路、加热控制。
█ 极限值（T
j
=25℃） █ 外形图及引脚排列





T
stg
——贮存温度 ………………………………………………… -40~150℃
T
j
——结温 …………………………………………………………-40~125℃
V
DRM
——重复峰值断态电压 …………………………………………600V
IT（RMS）——RMS通态电流（均方值）……………………………… 12A
I
T(AV)
——平均通态电流（半正弦波，T
C
=109℃）…………………… 7.6A
ITSM ——浪涌通态电流(1/2周期,60HZ, 正弦波,不重复) …………… 132A
V
RGM
—反向峰值门极电压 ………………………………………………5V
I
FGM
——正向峰值门极电流 …………………………………………2.0A
P
GM
——峰值门极功耗……………………………………………………5.0W
█ 电参数（T
c
=25℃）
参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值单 位测 试 条 件
IDRM 重复峰值断态电流
10
200

uA
uA
V
AK
=V
DRM

Tc=25℃
Tc=125℃
VTM 峰值通态电压(1) 1.6 V ITM=24A，tp=380us
IGT 门极触发电流(2) 15 mA V
AK
=6V（DC）, R
L
=10 ohm
Tc=25℃
VGT 门极触发电压(2) 1.5 V
V
AK
=6V（DC）, R
L
=10 ohm
Tc=25℃
V
GD
门极不触发电压(1) 0.2 V
V
AK
=12V, R
L
=100 ohm
T
c
=125℃
I
H
维持电流

20

mA IT=100mA, 栅极开路
T
c
=25℃
(dv/dt)c

最低电压上升率 200 V/us 线性倾斜上升至VD=VDRM
67%, 栅极开路,T
j
=125℃
Rth(j-c) 热阻 1.3 ℃/W 结到外壳
Rth(j-a) 热阻 60 ℃/W 结到环境