2SC5625
シリコン NPNエピタキシァル形
低周波電力増幅用
概　要
　 2SC5625超小形外形樹脂封止形シリコンNPNエピタキシァル
形トランジスタで、高耐圧に設計、製造されております。
　セットの小型化、高密度実装用として幅広くご使用いただけま
す。
特　長
・超小形外形のため、セットの小型化、高密度実装が可能
用　途
ハイブリッドＩＣ，DC-DCコンバータ用
最大定格 (Ta=25℃ )
記　号 項　　　目 測　定　条　件
特 性 値
最小 標準 最大 単位
電気的特性 (Ta=25℃ )
・コレクタ飽和電圧が低い
VCE (sat)=0.5V 最大
V(BR)CBO
I CBO
I EBO
VCE(sat)
f T
Cob
h FE
I C =50μ A, IE=0
VCB = 300V, I E=0
VEB=5V, I C =0
VCE =10V, I C =10mA
I C =100mA, I B=10mA
VCE =6V, I E=-10mA
VCB =6V, I E=0, f=1MHz
300
60
40
3.0
0.5
0.5
0.5
V
μ A
V
MHz
pF
μ A
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ飽和電圧
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
直流電流増幅率
V(BR)CEO I C =1mA, R BE =∞コレクタ・エミッタ降伏電圧 300
V(BR)EBO I E=50μ A, IC =0エミッタ・ベース降伏電圧 7 V
V
305
電極接続
1 : ベ－ス
2 : エミッタ
3 : コレクタ
外　形　図
単位 :mm
1.50.5 0.5
2.5
1
2
3
EIAJ : SC-59
JEDEC : TO-236 類似
マ－キング図
U W
形名略称 hFE アイテム
VCBO
VEBO
VCEO
I C
PC
Tj
Tstg
7
300
100
+125
-55~+125
V
V
V
mA
mW
℃
℃
記　号 項　　　目
コレクタ・ベ－ス間電圧
コレクタ電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
定 格 値 単位
エミッタ・ベ－ス間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
300
150