2SA2027
シリコン PNPエピタキシァル形
低周波電力増幅用
VCBO
VEBO
VCEO
I C
PC
Tj
Tstg
-7
-300
-100
+150
-55 ～ +150
V
V
V
mA
mW
℃
℃
概　要
2SA2027 樹脂封止形シリコン PNPエピタキシァル形トラ
ンジスタで、高耐圧に設計、製造されております。
　セットの小型化、高密度実装用として幅広くご使用いた
だけます。
特　長
・小形外形のため、セットの小型化、高密度実装が可能
用　途
ハイブリッドＩＣ，DC-DCコンバータ用
記　号 項　　　目
コレクタ・ベ－ス間電圧
コレクタ電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
定 格 値 単位
最大定格 (Ta=25℃ )
記　号 項　　　目 測　定　条　件
特 性 値
最小 標準 最大 単位
電気的特性 (Ta=25 ℃ )
エミッタ・ベ－ス間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
・コレクタ飽和電圧が低い
VCE (sat)=-0.5V 最大
-300
V(BR)CBO
I CBO
I EBO
VCE(sat)
f T
Cob
hFE
I C=-50μ A, I E=0
VCB = -300V, I E=0
VEB =-5V, I C=0
VCE =-10V, I C=-10mA
I C=-100mA, I B=-10mA
VCE =-6V, I E=10mA
VCB =-6V, I E=0, f=1MHz
-300
50
40
3.0
-0.5
-0.5
-0.5
V
μ A
V
MHz
pF
μ A
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ飽和電圧
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
直流電流増幅率
500
外　形　図
単位 :mm
V(BR)CEO I C=-1mA, R BE =∞コレクタ・エミッタ降伏電圧 -300
V(BR)EBO I E=-50μ A, I C=0エミッタ・ベース降伏電圧 -7 V
V
305
電極接続
Ｅ: エミッタ
Ｃ: コレクタ
Ｂ: ベース
EIAJ : SC-62
JEDEC :
E C B
4.6 MAX
1.6
3.0
1.5
0.53
MAX
0.48 MAX
1.5
0.4
マーキング
マ－キング図
A H
形名表示
製造月
W
ランニング No.
hFEアイテム