1.5KE10
器件描述：Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes
器件厂商：DIOTEC [Diotec Semiconductor]
文件大小：154.46KB，共4页
Sponsor by e络盟器件资料摘要：
1
) Non-repetitive current pulse see curve I
PPM
= f (t
r
)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Strom-Impulses, siehe Kurve I
PPM
= f (t
r
)
2
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
3
) Unidirectional diodes only – nur für unidirektionale Dioden
125.03.2003
1.5 KE 6.8 ... 1.5 KE 440CA
Unidirectional and bidirectional Unidirektionale und bidirektionale
Transient Voltage Suppressor Diodes Spannungs-Begrenzer-Dioden
Peak pulse power dissipation 1500 W
Impuls-Verlustleistung
Nominal breakdown voltage 6.8...440 V
Nominale Abbruch-Spannung
Plastic case – Kunststoffgehäuse Ø 5.4 x 7.5 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca. 1.1 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging taped in ammo pack see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack siehe Seite 16
For bidirectional types (suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (Suffix “C” oder “CA”) gelten die el. Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings and Characteristics Kenn- und Grenzwerte
Peak pulse power dissipation (10/1000 g58s waveform) T
A
= 25g47CP
PPM
1500 W
1
)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 g58s)
Steady state power dissipation T
A
= 25g47CP
M(AV)
6.5 W
2
)
Verlustleistung im Dauerbetrieb
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave T
A
= 25g47CI
FSM
200 A
3
)
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T
j
– 50…+175g47C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
– 50…+175g47C
Max. instantaneous forward voltage I
F
= 100 A V
BR
g35 200 V V
F
< 3.5 V
3
)
Augenblickswert der Durchlaßspannung V
BR
> 200 V V
F
< 5.0 V
3
)
Thermal resistance junction to ambient air R
thA
< 23 K/W
2
)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to lead R
thL
< 8 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht
) Non-repetitive current pulse see curve I
PPM
= f (t
r
)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Strom-Impulses, siehe Kurve I
PPM
= f (t
r
)
2
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
3
) Unidirectional diodes only – nur für unidirektionale Dioden
125.03.2003
1.5 KE 6.8 ... 1.5 KE 440CA
Unidirectional and bidirectional Unidirektionale und bidirektionale
Transient Voltage Suppressor Diodes Spannungs-Begrenzer-Dioden
Peak pulse power dissipation 1500 W
Impuls-Verlustleistung
Nominal breakdown voltage 6.8...440 V
Nominale Abbruch-Spannung
Plastic case – Kunststoffgehäuse Ø 5.4 x 7.5 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca. 1.1 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging taped in ammo pack see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack siehe Seite 16
For bidirectional types (suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (Suffix “C” oder “CA”) gelten die el. Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings and Characteristics Kenn- und Grenzwerte
Peak pulse power dissipation (10/1000 g58s waveform) T
A
= 25g47CP
PPM
1500 W
1
)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 g58s)
Steady state power dissipation T
A
= 25g47CP
M(AV)
6.5 W
2
)
Verlustleistung im Dauerbetrieb
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave T
A
= 25g47CI
FSM
200 A
3
)
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T
j
– 50…+175g47C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
– 50…+175g47C
Max. instantaneous forward voltage I
F
= 100 A V
BR
g35 200 V V
F
< 3.5 V
3
)
Augenblickswert der Durchlaßspannung V
BR
> 200 V V
F
< 5.0 V
3
)
Thermal resistance junction to ambient air R
thA
< 23 K/W
2
)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to lead R
thL
< 8 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht